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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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Nexperia PMP5201Y,115 SMD, NPN/PNP Transistor Dual 45 V / 100 MA 100 MHz, SOT-363 (SC-88) 6-Pin

About The .2 x 1

Nexperia PMP5201Y,115 SMD, NPN/PNP Transistor Dual 45 V / 100 mA 100 MHz, SOT-363 (SC-88) 6-Pin, Verlustleistung max.: 300 mW, Gleichstromverstärkung min.: 200, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Kollektor-Basis-Spannung max.: –50 V, Basis-Emitter Spannung max.: –5 V, Abmessungen: 2.2 x 1.35 x 1.1mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

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Specifications of Nexperia PMP5201Y,115 SMD, NPN/PNP Transistor Dual 45 V / 100 MA 100 MHz, SOT-363 (SC-88) 6-Pin

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Phoenix Contact SAC konfektioniertes Sensorkabel 12-adrig Buchse, Länge 5m

Phoenix Contact SAC konfektioniertes Sensorkabel 12-adrig Buchse, Länge 5m

Phoenix Contact SAC konfektioniertes Sensorkabel 12-adrig Buchse, Länge 5m, Leiterquerschnitt: 0,14 mm², Mantelfarbe: Schwarz, Mantelmaterial: PVC, Steckverbinder 1: M12, Betriebsspannung: 30 V, Schutzart: IP65, IP67, IP68, AWG: 26 AWG, Leitermaterial: Blanke Kupferlitzen, MPN: 1554872.

  • Elektromechanik & Automation und Kabel
  • Kabel und Drähte
  • Elektro- und Industriekabel
  • Sensor- und Aktor-Kabel
  • Phoenix Contact
    • nVent SCHROFF Interscale M 19 Zoll Rack Gehäuse 2U Grau, 221 mm x 221mm x 88 mm

    nVent SCHROFF Interscale M 19 Zoll Rack Gehäuse 2U Grau, 221 mm x 221mm x 88 mm

    nVent SCHROFF Interscale M 19 Zoll Rack Gehäuse 2U Grau, 221 mm x 221mm x 88 mm, Abmessungen (Außen): 88 x 221 x 221mm, Belüftet: Ja, Außengehäuse-Material: Stahl, Frontplattenmaterial: Aluminium, MPN: 14825-255.

  • Elektromechanik & Automation und Kabel
  • Gehäuse und Server-Racks
  • 19-Zoll-Gehäuse
  • Rack-Montagegehäuse
  • nVent SCHROFF
    • DiodesZetex Logikgatter, 1-Elem., NAND, AHC, Push-Pull, 8mA, 5-Pin, SOT-25, 2 Schmitt-Trigger-Eingang
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  • Logik ICs
  • Logikgatter
  • DiodesZetex
    • Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 47Ω ±1% / 0.5W ±100ppm/K, 1206 (3216M) Gehäuse

    Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 47Ω ±1% / 0.5W ±100ppm/K, 1206 (3216M) Gehäuse

    : +155°C, MPN: CRCW120647R0FKEAHP.5W ±100ppm/K, 1206 (3216M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Passive Bauelemente
  • Festwiderstände
  • SMD-Widerstände
  • Vishay
    • TDK, C, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X7S, 1μF ±10% / 100V dc, Gehäuse 0805 (2012M)

    TDK, C, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X7S, 1μF ±10% / 100V dc, Gehäuse 0805 (2012M)

    25mm, Länge: 2mm, Betriebstemperatur max.: +125°C, Betriebstemperatur min.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Passive Bauelemente
  • Kondensatoren
  • Keramik Vielschichtkondensatoren
  • TDK
    • TDK, C, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X7S, 1μF ±10% / 100V dc, Gehäuse 0805 (2012M)

    TDK, C, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X7S, 1μF ±10% / 100V dc, Gehäuse 0805 (2012M)

    25mm, Länge: 2mm, Betriebstemperatur max.: +125°C, Betriebstemperatur min.

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  • Kondensatoren
  • Keramik Vielschichtkondensatoren
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    • Nexperia PMP5201Y,115 SMD, NPN/PNP Transistor Dual 45 V / 100 mA 100 MHz, SOT-363 (SC-88) 6-Pin

    Nexperia PMP5201Y,115 SMD, NPN/PNP Transistor Dual 45 V / 100 mA 100 MHz, SOT-363 (SC-88) 6-Pin

    : 200, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Kollektor-Basis-Spannung max.: –50 V, Basis-Emitter Spannung max.2 x 1.

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    • onsemi FDS9431A P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 3,5 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

    onsemi FDS9431A P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 3,5 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

    : +150 °C.: 130 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.

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  • MOSFET
  • onsemi
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    Nexperia PMP5201Y,115 SMD, NPN/PNP Transistor Dual 45 V / 100 mA 100 MHz, SOT-363 (SC-88) 6-Pin

    : 200, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Kollektor-Basis-Spannung max.1mm, Betriebstemperatur max.

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    • onsemi FDS9431A P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 3,5 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

    onsemi FDS9431A P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 3,5 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

    : –8 V, +8 V, Höhe: 1.onsemi FDS9431A P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 3,5 A 2,5 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 130 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.5mm, Betriebstemperatur max.

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  • MOSFET
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