Infineon CoolMOS P6 IPL60R180P6AUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 22,4 A, 5-Pin ThinkPAK 8 x 8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,18 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Transistor-Werkstoff: Si
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon CoolMOS P6 IPL60R180P6AUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 22,4 A, 5-Pin ThinkPAK 8 X 8
Specifications of Infineon CoolMOS P6 IPL60R180P6AUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 22,4 A, 5-Pin ThinkPAK 8 X 8 | |
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