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Broadcom HFBR LWL-Sender, 865nm, 4ns, Fallzeit 4ns Tafelmontage 8-polig 22.2 X 12.7 X 10.2mm

About The Broadcom HFBR LWL-Sender, 865nm, 4ns, Fallzeit 4ns Tafelmontage 8-polig 22.7 x 10

Broadcom HFBR LWL-Sender, 865nm, 4ns, Fallzeit 4ns Tafelmontage 8-polig 22.2 x 12.7 x 10.2mm, Datenrate max.: 160Mbit/s, Steckertyp: SMA, Länge: 22.2mm, Breite: 12.7mm, Durchlassspannung: 2,09 V, MPN: HFBR-1404Z

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TE Connectivity Universal MATE-N-LOK Crimp-Anschlussklemme für Universal-MATE-N-LOK-Steckverbindergehäuse, Stecker,

TE Connectivity Universal MATE-N-LOK Crimp-Anschlussklemme für Universal-MATE-N-LOK-Steckverbindergehäuse, Stecker,

TE Connectivity Universal MATE-N-LOK Crimp-Anschlussklemme für Universal-MATE-N-LOK-Steckverbindergehäuse, Stecker,, Minimale Drahtgröße (mm2): 0.

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    • Hirose DF3 Steckverbindergehäuse Stecker 2mm, 14-polig / 1-reihig Gerade, Kabelmontage für Steckverbinder Serie DF3

    Hirose DF3 Steckverbindergehäuse Stecker 2mm, 14-polig / 1-reihig Gerade, Kabelmontage für Steckverbinder Serie DF3

    1mm, Gehäusematerial: PA, MPN: DF3-14EP-2C.Hirose DF3 Steckverbindergehäuse Stecker 2mm, 14-polig / 1-reihig Gerade, Kabelmontage für Steckverbinder Serie DF3, Länge: 30mm, Breite: 11.

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    • STMicroelectronics MDmesh M5 STP16N65M5 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 12 A 90 W, 3-Pin TO-220

    STMicroelectronics MDmesh M5 STP16N65M5 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 12 A 90 W, 3-Pin TO-220

    : 299 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.15mm.STMicroelectronics MDmesh M5 STP16N65M5 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 12 A 90 W, 3-Pin TO-220, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: +25 V, Höhe: 9.

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    • DiodesZetex TVS-Diode Bi-Directional Einfach 77.4V 53.3V min., 2-Pin, SMD 48V max DO-214AC (SMA)

    DiodesZetex TVS-Diode Bi-Directional Einfach 77.4V 53.3V min., 2-Pin, SMD 48V max DO-214AC (SMA)

    : +150 °C, MPN: SMAJ48CA-13-F.1mm, Betriebstemperatur max., 2-Pin, SMD 48V max DO-214AC (SMA), Höchstzulässige Pulsverlustleistung: 400W, Impulsspitzen-Strom max.

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    Vishay CAPACITOR, CERAMIC;1000PF;HIGH VOLTAGE;RADIAL;15000VDC;+80%/-20%;Y5U;-25DEGC;105

    Vishay CAPACITOR, CERAMIC;1000PF;HIGH VOLTAGE;RADIAL;15000VDC;+80%/-20%;Y5U;-25DEGC;105, MPN: 615R150GAD10.

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    : 4.STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STP14NK50ZFP N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 14 A 35 W, 3-Pin TO-220FP, Drain-Source-Widerstand max.

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    STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STP14NK50ZFP N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 14 A 35 W, 3-Pin TO-220FP

    : 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 10.: +150 °C.

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