Infineon OptiMOS IPB80N06S2H5ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 80 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

1W, 1805 Gehäuse.

ABB Stromwandler für S4, S5, S6, S7, T1, T2, T3, T4, T5, T6, T7, XT2, XT3, XT4, XT7-XT7M, XXT7-XT7M, MPN: 037395.

Rockwell Automation Allen-Bradley Leistungsschütz / 48 bis 130 V ac/dc Spule, 3 -polig 1 Öffner + 1 Schließer / 146 A, MPN: PN-408457.

ABB Frontklemme für S6 630, T6 630, MPN: 023389.

: 2V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si.Infineon OptiMOS IPB80N06S2L09ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 80 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 0,0082 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

5mm² - 2.5mm²,, Minimale Drahtgröße (AWG): 22AWG, Maximale Drahtgröße (AWG): 12AWG, MPN: 2299517-1.TE Connectivity Kabelspleißverbinder, Blau, 0,5 → 2,5 mm², 22 → 12 AWG, 5 Auslässe, 0.

RS PRO Dünnschicht Widerstand 1.2MΩ 0.

: 0,0052 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.Infineon OptiMOS IPB80N06S2H5ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 80 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 4V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si.

2MΩ 0.

Infineon OptiMOS IPB80N06S2H5ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 80 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 0,0052 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.