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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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Wurth Elektronik

Wurth Elektronik WE-TPC Drosselspule, 22 μH 1.22A Mit Ferrit-Kern, 6823 Gehäuse 6.8mm / ±30%, 20MHz

About The 3mm, Abmessungen: 6.8 x 6

Wurth Elektronik WE-TPC Drosselspule, 22 μH 1.22A mit Ferrit-Kern, 6823 Gehäuse 6.8mm / ±30%, 20MHz, Höhe: 2.3mm, Abmessungen: 6.8 x 6.8 x 2.3mm, Geschirmt: Ja, Gleichstromwiderstand max.: 120mΩ, Induktivitätsbauweise: Drahtgewickelt, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: 744062220

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Specifications of Wurth Elektronik WE-TPC Drosselspule, 22 μH 1.22A Mit Ferrit-Kern, 6823 Gehäuse 6.8mm / ±30%, 20MHz

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Rating :- 9.09 /10
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Wurth Elektronik SMD Induktivität, 2,7 nH 300mA AEC-Q200 Grade 1, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm
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    • onsemi THT Diode, 200V / 3A, 2-Pin DO-201AD

    onsemi THT Diode, 200V / 3A, 2-Pin DO-201AD

    onsemi THT Diode, 200V / 3A, 2-Pin DO-201AD, Diodenkonfiguration: Einfach, Gleichrichter-Typ: Universal, Diode Typ: Rectifier, Maximaler Spannungsabfall: 1V, Diodentechnologie: Siliziumverbindung, Durchmesser: 5.3mm, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 200A, MPN: 1N5402G.

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    • ROHM SCT3105KRHRC15 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 24 A, 4-Pin TO-247-4L

    ROHM SCT3105KRHRC15 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 24 A, 4-Pin TO-247-4L

    ROHM SCT3105KRHRC15 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 24 A, 4-Pin TO-247-4L, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Werkstoff: SiC.

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    • ROHM SCT3080KRHRC15 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 31 A, 4-Pin TO-247-4L

    ROHM SCT3080KRHRC15 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 31 A, 4-Pin TO-247-4L

    ROHM SCT3080KRHRC15 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 31 A, 4-Pin TO-247-4L.

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    • Susumu Co KRL Metallfolie SMD-Widerstand 1mΩ ±5% / 1W ±150ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse

    Susumu Co KRL Metallfolie SMD-Widerstand 1mΩ ±5% / 1W ±150ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse

    : -55°C, Betriebstemperatur max.: +175°C, MPN: KRL2012E-C-R001-J.Susumu Co KRL Metallfolie SMD-Widerstand 1mΩ ±5% / 1W ±150ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.

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    • Infineon FRAM-Speicher 64kbit, 8K x 8 bit 550ns Seriell (2-Draht, I2C) SMD SOIC 8-Pin 4,5 V bis 5,5 V

    Infineon FRAM-Speicher 64kbit, 8K x 8 bit 550ns Seriell (2-Draht, I2C) SMD SOIC 8-Pin 4,5 V bis 5,5 V

    : +85 °C, Automobilstandard: AEC-Q100, MPN: FM24C64B-G.Infineon FRAM-Speicher 64kbit, 8K x 8 bit 550ns Seriell (2-Draht, I2C) SMD SOIC 8-Pin 4,5 V bis 5,5 V, Datenbus-Breite: 8bit, Abmessungen: 4.98 x 1.97mm, Breite: 3.

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    • Infineon FRAM-Speicher 64kbit, 8K x 8 bit 550ns Seriell (2-Draht, I2C) SMD SOIC 8-Pin 4,5 V bis 5,5 V

    Infineon FRAM-Speicher 64kbit, 8K x 8 bit 550ns Seriell (2-Draht, I2C) SMD SOIC 8-Pin 4,5 V bis 5,5 V

    : +85 °C, Automobilstandard: AEC-Q100, MPN: FM24C64B-G.48mm, Länge: 4.Infineon FRAM-Speicher 64kbit, 8K x 8 bit 550ns Seriell (2-Draht, I2C) SMD SOIC 8-Pin 4,5 V bis 5,5 V, Datenbus-Breite: 8bit, Abmessungen: 4.97 x 3.

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    3mm, Abmessungen: 6.3mm, Geschirmt: Ja, Gleichstromwiderstand max.8 x 2.: +125°C, MPN: 744062220.

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