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Vishay Siliconix

Vishay Siliconix TrenchFET SiZ350DT-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 30 A 16,7 W, 8-Pin PowerPAIR 3 X 3

About The 2V, Höhe: 0.: 9 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Vishay Siliconix TrenchFET SiZ350DT-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 30 A 16,7 W, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3, Drain-Source-Widerstand max.: 9 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.4V, Gate-Source Spannung max.: -12 V, +16 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V, Höhe: 0.75mm

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Vishay Siliconix TrenchFET SiZ350DT-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 30 A 16,7 W, 8-Pin PowerPAIR 3 X 3

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Specifications of Vishay Siliconix TrenchFET SiZ350DT-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 30 A 16,7 W, 8-Pin PowerPAIR 3 X 3

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