onsemi NTLJD3119CTBG N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 4,1 A; 4,6 A 2,3 W, 6-Pin WDFN, Channel-Typ: N, P, Drain-Source-Widerstand max.: 120 mΩ, 200 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Länge: 2mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Onsemi NTLJD3119CTBG N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 4,1 A; 4,6 A 2,3 W, 6-Pin WDFN
Specifications of Onsemi NTLJD3119CTBG N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 4,1 A; 4,6 A 2,3 W, 6-Pin WDFN | |
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