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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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Vishay IHLE3232 SMD Induktivität, 2,2 μH 11.5A AEC-Q200, 3232 Gehäuse 8.89mm / 20%

About The 89mm / 20%, Tiefe: 4.5A AEC-Q200, 3232 Gehäuse 8

Vishay IHLE3232 SMD Induktivität, 2,2 μH 11.5A AEC-Q200, 3232 Gehäuse 8.89mm / 20%, Tiefe: 4.29mm, Geschirmt: Ja, MPN: IHLE3232DDER2R2M5A

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Vishay IHLE3232 SMD Induktivität, 2,2 μH 11.5A AEC-Q200, 3232 Gehäuse 8.89mm / 20%

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Specifications of Vishay IHLE3232 SMD Induktivität, 2,2 μH 11.5A AEC-Q200, 3232 Gehäuse 8.89mm / 20%

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KEMET, C, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator Y5V, 1μF -20 → +80 % / 16V dc, Gehäuse 0805 (2012M)
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    • Wickmann Schraubbefestigung Kfz Sicherung, schwarz, 100A 16 x 12 x 8.3mm, 32V dc

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    Wickmann Schraubbefestigung Kfz Sicherung, schwarz, 100A 16 x 12 x 8.

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    Panasonic Dickschicht SMD-Widerstand 4.7kΩ ±5% / 0.125W, 0603 (1608M) Gehäuse

    7kΩ ±5% / 0.125W, 0603 (1608M) Gehäuse, MPN: ERJH3GJ472V.Panasonic Dickschicht SMD-Widerstand 4.

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    • Vishay Siliconix TrenchFET SQA405EJ-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 10 A 13,6 W, 6-Pin SC-70-6L

    Vishay Siliconix TrenchFET SQA405EJ-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 10 A 13,6 W, 6-Pin SC-70-6L

    : ±20 V, Länge: 2.2mm, Betriebstemperatur max.5V, Gate-Schwellenspannung min.

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    125W, 0603 (1608M) Gehäuse, MPN: ERJH3GJ560V.Panasonic Dickschicht SMD-Widerstand 56Ω ±5% / 0.

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    89mm / 20%, Tiefe: 4.Vishay IHLE3232 SMD Induktivität, 2,2 μH 11.

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    Panasonic Dickschicht SMD-Widerstand 56Ω ±5% / 0.125W, 0603 (1608M) Gehäuse, MPN: ERJH3GJ560V.

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