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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
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Vishay IRF9Z20PBF P-Kanal, THT MOSFET 50 V / 6,1 A 40 W, 3-Pin TO-220AB

About The : 280 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: +150 °C

Vishay IRF9Z20PBF P-Kanal, THT MOSFET 50 V / 6,1 A 40 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 280 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.51mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

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Specifications of Vishay IRF9Z20PBF P-Kanal, THT MOSFET 50 V / 6,1 A 40 W, 3-Pin TO-220AB

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Vishay IRF9Z20PBF P-Kanal, THT MOSFET 50 V / 6,1 A 40 W, 3-Pin TO-220AB
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onsemi N-Kanal JFET MMBFJ310LG, 25 V Single, SOT-23 3-Pin Einfach
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    • Siemens S-1FL6 Servomotor Rechtslauf, 1 kW, Flanschmontage

    Siemens S-1FL6 Servomotor Rechtslauf, 1 kW, Flanschmontage

    Siemens S-1FL6 Servomotor Rechtslauf, 1 kW, Flanschmontage, Nennfrequenz: 200Hz, Wechselstrommotortyp: Synchron, Versorgungsspannung: 230 V, MPN: 1FL60442AF211LG1.

  • Elektromechanik & Automation und Kabel
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  • Wechselstrommotoren
  • Siemens
    • TDK, FA, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator Keramik, 750nF ±20% / 900V dc, Gehäuse FA3, AEC-Q200

    TDK, FA, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator Keramik, 750nF ±20% / 900V dc, Gehäuse FA3, AEC-Q200

    4mm, Tiefe: 9mm, Betriebstemperatur max.: -40°C, Anschlussklemmentyp: Standard, MPN: B58035U9754M052.1mm, Länge: 7.

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    • Siemens S-1FL6 Servomotor Rechtslauf, 0,75 kW, Flanschmontage

    Siemens S-1FL6 Servomotor Rechtslauf, 0,75 kW, Flanschmontage

    Siemens S-1FL6 Servomotor Rechtslauf, 0,75 kW, Flanschmontage, Nennfrequenz: 200Hz, Wechselstrommotortyp: Synchron, Versorgungsspannung: 400 V, MPN: 1FL60611AC612AH1.

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    • KEMET, C, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator C0G, 100pF ±5% / 50V dc, Gehäuse 1206 (3216M)

    KEMET, C, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator C0G, 100pF ±5% / 50V dc, Gehäuse 1206 (3216M)

    KEMET, C, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator C0G, 100pF ±5% / 50V dc, Gehäuse 1206 (3216M), Spannung: 50V dc, Montageart: Oberflächenmontage, Abmessungen: 3.2 x 1.

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    • ROHM Dickschicht SMD-Widerstand 270Ω ±5% / 0.25W, 0603 (1608M) Gehäuse

    ROHM Dickschicht SMD-Widerstand 270Ω ±5% / 0.25W, 0603 (1608M) Gehäuse

    ROHM Dickschicht SMD-Widerstand 270Ω ±5% / 0.25W, 0603 (1608M) Gehäuse, MPN: ESR03EZPJ271.

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    • Vishay SIHF9620S-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 2 A 40 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

    Vishay SIHF9620S-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 2 A 40 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

    67mm, Betriebstemperatur max.: 1,5 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: -20 V, +20 V, Länge: 10.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.

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    Vishay IRF9Z20PBF P-Kanal, THT MOSFET 50 V / 6,1 A 40 W, 3-Pin TO-220AB

    : +150 °C.Vishay IRF9Z20PBF P-Kanal, THT MOSFET 50 V / 6,1 A 40 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.

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    • Vishay SIHF9620S-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 2 A 40 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

    Vishay SIHF9620S-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 2 A 40 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

    : 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.

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