Vishay Siliconix TrenchFET SQM40016EM_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 250 A 300 W, 7-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 1 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 10.67mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
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Vishay Siliconix TrenchFET SQM40016EM_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 250 A 300 W, 7-Pin D2PAK (TO-263)
Specifications of Vishay Siliconix TrenchFET SQM40016EM_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 250 A 300 W, 7-Pin D2PAK (TO-263) | |
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