Vishay SIHF634S-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 8,1 A 74 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 450 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 4.83mm, Länge: 10.67mm
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Vishay SIHF634S-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 8,1 A 74 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Specifications of Vishay SIHF634S-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 8,1 A 74 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
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