Vishay SiHA105N60EF SIHA105N60EF-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 29 A, 3-Pin TO-220 FP, Drain-Source-Widerstand max.: 0,102 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay SiHA105N60EF SIHA105N60EF-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 29 A, 3-Pin TO-220 FP
Specifications of Vishay SiHA105N60EF SIHA105N60EF-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 29 A, 3-Pin TO-220 FP | |
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