reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
onsemi

Onsemi NTMJS1D6N06CLTWG N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 250 A 167 W, 8-Pin LFPAK8

About The 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 2,3 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

onsemi NTMJS1D6N06CLTWG N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 250 A 167 W, 8-Pin LFPAK8, Drain-Source-Widerstand max.: 2,3 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Onsemi NTMJS1D6N06CLTWG N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 250 A 167 W, 8-Pin LFPAK8

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Onsemi NTMJS1D6N06CLTWG N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 250 A 167 W, 8-Pin LFPAK8

Category
Instockinstock

Last Updated

Onsemi NTMJS1D6N06CLTWG N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 250 A 167 W, 8-Pin LFPAK8
More Varieties
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Diskrete Halbleiter

Rating :- 9.39 /10
Votes :- 6
FAG Zweireihiges Rillenkugellager Kugellager 2-reihig, Innen-Ø 40mm / Außen-Ø 80mm, Breite 23mm Offene Bauweise

FAG Zweireihiges Rillenkugellager Kugellager 2-reihig, Innen-Ø 40mm / Außen-Ø 80mm, Breite 23mm Offene Bauweise

5kN, Dynamische Traglast: 42kN, Bohrung Typ: Parallel, Lager-Serie: 2 Leicht, Axiallager-Typ: Glatt, MPN: 4208-BB-TVH.

  • Mechanik & Fluidtechnik und Werkzeuge
  • Lager und Dichtungen
  • Drehlager- und Gehäuseeinheiten
  • Kugellager
  • FAG
    • SKF Rollenlager Typ Konus, Innen-Ø 120mm / Außen-Ø 180mm, Breite 38mm

    SKF Rollenlager Typ Konus, Innen-Ø 120mm / Außen-Ø 180mm, Breite 38mm

    SKF Rollenlager Typ Konus, Innen-Ø 120mm / Außen-Ø 180mm, Breite 38mm, Bohrung Typ: Parallel, MPN: 32024 X.

  • Mechanik & Fluidtechnik und Werkzeuge
  • Lager und Dichtungen
  • Drehlager- und Gehäuseeinheiten
  • Nadellager
  • SKF
    • SKF Rollenlager Typ Konus, Innen-Ø 35mm / Außen-Ø 62mm, Breite 18mm

    SKF Rollenlager Typ Konus, Innen-Ø 35mm / Außen-Ø 62mm, Breite 18mm

    SKF Rollenlager Typ Konus, Innen-Ø 35mm / Außen-Ø 62mm, Breite 18mm, Bohrung Typ: Parallel, MPN: 32007 J2/Q.

  • Mechanik & Fluidtechnik und Werkzeuge
  • Lager und Dichtungen
  • Drehlager- und Gehäuseeinheiten
  • Nadellager
  • SKF
    • Molex 146153 Dual Band WiFi-Antenne 2,4 GHz, 5 GHz Intern / 3.7dBi Rundstrahlantenne

    Molex 146153 Dual Band WiFi-Antenne 2,4 GHz, 5 GHz Intern / 3.7dBi Rundstrahlantenne

    7dBi Rundstrahlantenne, HF-Protokolle: WiFi (Dual Band), Physische Form Antenne: T-Stab, Montageart Antenne: selbstklebend, Montageart: Klebemontage, Kabellänge: 150mm, MPN: 146153-0150.Molex 146153 Dual Band WiFi-Antenne 2,4 GHz, 5 GHz Intern / 3.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Passive Bauelemente
  • Antennen
  • WiFi Antennen
  • Molex
    • onsemi D45H8G THT, PNP Transistor –60 V / -10 A 40 MHz, TO-220AB 3-Pin

    onsemi D45H8G THT, PNP Transistor –60 V / -10 A 40 MHz, TO-220AB 3-Pin

    onsemi D45H8G THT, PNP Transistor –60 V / -10 A 40 MHz, TO-220AB 3-Pin, Verlustleistung max.82mm, Betriebstemperatur max.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • Bipolare Transistoren
  • onsemi
    • onsemi BD180G THT, PNP Transistor –80 V / -1 A 3 MHz, TO-225 3-Pin

    onsemi BD180G THT, PNP Transistor –80 V / -1 A 3 MHz, TO-225 3-Pin

    onsemi BD180G THT, PNP Transistor –80 V / -1 A 3 MHz, TO-225 3-Pin, Verlustleistung max.: 30 W, Gleichstromverstärkung min.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • Bipolare Transistoren
  • onsemi
    • onsemi NTMJS1D6N06CLTWG N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 250 A 167 W, 8-Pin LFPAK8

    onsemi NTMJS1D6N06CLTWG N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 250 A 167 W, 8-Pin LFPAK8

    : ±20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: 2,3 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: +175 °C.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
  • onsemi
    • onsemi Motor Driver IC NCV7726DQBR2G, 5 (Maximum)MHz, SSOP, 24-Pin, 500mA, 5,25 V, DC, Halbbrücke
  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Stromversorgung
  • Motor-Treiber ICs
  • onsemi
    • onsemi NTMJS1D6N06CLTWG N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 250 A 167 W, 8-Pin LFPAK8

    onsemi NTMJS1D6N06CLTWG N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 250 A 167 W, 8-Pin LFPAK8

    : +175 °C.onsemi NTMJS1D6N06CLTWG N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 250 A 167 W, 8-Pin LFPAK8, Drain-Source-Widerstand max.: ±20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
  • onsemi
    • onsemi Motor Driver IC NCV7726DQBR2G, 5 (Maximum)MHz, SSOP, 24-Pin, 500mA, 5,25 V, DC, Halbbrücke

    onsemi Motor Driver IC NCV7726DQBR2G, 5 (Maximum)MHz, SSOP, 24-Pin, 500mA, 5,25 V, DC, Halbbrücke

    64 x 3.: 3,15 V, Automobilstandard: AEC-Q100, Abmessungen: 8.onsemi Motor Driver IC NCV7726DQBR2G, 5 (Maximum)MHz, SSOP, 24-Pin, 500mA, 5,25 V, DC, Halbbrücke, Montage-Typ: SMD, Arbeitsspannnung min.9 x 1.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Stromversorgung
  • Motor-Treiber ICs
  • onsemi