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Toshiba TK33S10N1Z N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 33 A 125 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

About The Toshiba TK33S10N1Z N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 33 A 125 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.

Toshiba TK33S10N1Z N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 33 A 125 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 9,7 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 6.5mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C

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Toshiba TK33S10N1Z N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 33 A 125 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Specifications of Toshiba TK33S10N1Z N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 33 A 125 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Toshiba TK33S10N1Z N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 33 A 125 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
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Rating :- 9.41 /10
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RS PRO Gummi Vibrationsdämpfer, Außen-/Innengewinde Puffer M6, Ø 30mm x 15mm, 60 Shore A
  • Mechanik & Fluidtechnik und Werkzeuge
  • Konstruktionsmaterialien und industrielle Systemteile
  • Vibrationsdämpfungs- und Ausgleichkomponenten
  • Schwingungsdämpfer
  • RS PRO
    • HellermannTyton Ovalgrip Kabel-Markierer, aufsteckbar, Beschriftung: 0, Schwarz auf Gelb, Ø 2.5mm - 6mm, 4.5mm x 4 mm,
  • Elektromechanik & Automation und Kabel
  • Kabel und Drähte
  • Kabelmanagement
  • Kabelmarkierer
  • HellermannTyton
    • HellermannTyton Ovalgrip Kabel-Markierer, aufsteckbar, Beschriftung: Y, Schwarz auf Gelb, Ø 2.5mm - 6mm, 4.5mm x 4 mm,

    HellermannTyton Ovalgrip Kabel-Markierer, aufsteckbar, Beschriftung: Y, Schwarz auf Gelb, Ø 2.5mm - 6mm, 4.5mm x 4 mm,

    5 → 6mm, Resistent gegen: Flamme, MPN: 531-00426 HOBS85-PVC-YE (500).HellermannTyton Ovalgrip Kabel-Markierer, aufsteckbar, Beschriftung: Y, Schwarz auf Gelb, Ø 2.5mm x 4 mm,, Fixierungsmethode: Aufschiebend, Anzahl: 500, Bedruckbar: Nein, Material: PVC, Betriebstemperatur min.

  • Elektromechanik & Automation und Kabel
  • Kabel und Drähte
  • Kabelmanagement
  • Kabelmarkierer
  • HellermannTyton
    • Siemens SENTRON 5TT Leistungsschütz / 220 V ac/dc Spule, 4 -polig 3 Schließer, 400 V ac / 25 A

    Siemens SENTRON 5TT Leistungsschütz / 220 V ac/dc Spule, 4 -polig 3 Schließer, 400 V ac / 25 A

    6mm, Montageart: DIN-Schienenmontage, Kontakt-Anzahl und -Position: 4-poliger Schließer, MPN: 5TT5031-6.Siemens SENTRON 5TT Leistungsschütz / 220 V ac/dc Spule, 4 -polig 3 Schließer, 400 V ac / 25 A, Anschlusstyp: Schraubanschluss, Länge: 35mm, Breite: 90mm, Tiefe: 74.

  • Elektromechanik & Automation und Kabel
  • Automation
  • Schütze und Hilfskontakte
  • Schütze
  • Siemens
    • Vishay MBA0204 Dünnschicht Widerstand 1MΩ ±1% / 0.4W

    Vishay MBA0204 Dünnschicht Widerstand 1MΩ ±1% / 0.4W

    4W, MPN: MBA02040C1004FC100.Vishay MBA0204 Dünnschicht Widerstand 1MΩ ±1% / 0.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Passive Bauelemente
  • Festwiderstände
  • Durchsteckwiderstände
  • Vishay
    • Siemens 5TL1 Trennschalter 1P-polig DIN-Schiene

    Siemens 5TL1 Trennschalter 1P-polig DIN-Schiene

    Siemens 5TL1 Trennschalter 1P-polig DIN-Schiene, Anschlussart: Schraub, MPN: 5TL1192-3.

  • Elektromechanik & Automation und Kabel
  • Schalter
  • Trennschalter und Zubehör
  • Trennschalter
  • Siemens
    • TE Connectivity RQ73,, AEC-Q200 Dünnschicht SMD-Widerstand 13kΩ ±0.1% / 0.15W ±10ppm/°C, 0603 (1608M) Gehäuse
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  • TE Connectivity
    • Toshiba TK33S10N1Z N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 33 A 125 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

    Toshiba TK33S10N1Z N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 33 A 125 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

    Toshiba TK33S10N1Z N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 33 A 125 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.

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    • TE Connectivity RQ73,, AEC-Q200 Dünnschicht SMD-Widerstand 13kΩ ±0.1% / 0.15W ±10ppm/°C, 0603 (1608M) Gehäuse

    TE Connectivity RQ73,, AEC-Q200 Dünnschicht SMD-Widerstand 13kΩ ±0.1% / 0.15W ±10ppm/°C, 0603 (1608M) Gehäuse

    15W ±10ppm/°C, 0603 (1608M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: +155°C, MPN: 3-2176371-7.

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  • Festwiderstände
  • SMD-Widerstände
  • TE Connectivity
    • Toshiba TK33S10N1Z N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 33 A 125 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

    Toshiba TK33S10N1Z N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 33 A 125 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

    : 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.Toshiba TK33S10N1Z N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 33 A 125 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: ±20 V, Länge: 6.

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