Infineon OptiMOS 3 BSC320N20NS3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 36 A 125 W, 8-Pin TDSON
: -20 V, +20 V, Höhe: 1.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.Infineon OptiMOS 3 BSC320N20NS3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 36 A 125 W, 8-Pin TDSON, Drain-Source-Widerstand max.: 32 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.