Infineon OptiMOS 3 BSC320N20NS3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 36 A 125 W, 8-Pin TDSON, Drain-Source-Widerstand max.: 32 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1.1mm
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Infineon OptiMOS 3 BSC320N20NS3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 36 A 125 W, 8-Pin TDSON
Specifications of Infineon OptiMOS 3 BSC320N20NS3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 36 A 125 W, 8-Pin TDSON | |
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