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Infineon SMD SiC-Schottky Diode, 1200V / 8A, 3-Pin TO-247

About The Infineon SMD SiC-Schottky Diode, 1200V / 8A, 3-Pin TO-247, MPN: IDM08G120C5XTMA1

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Specifications of Infineon SMD SiC-Schottky Diode, 1200V / 8A, 3-Pin TO-247

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    : 120 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Transistor-Werkstoff: Si.Infineon IPL60R IPL60R125C7AUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 17 A, 5-Pin ThinPAK 8 x 8, Drain-Source-Widerstand max.

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    Infineon IMBF1 IMBF170R650M1XTMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 1700 V / 7,4 A, 7-Pin TO-263-7, Drain-Source-Widerstand max.5V.: 650 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.

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    Infineon SMD SiC-Schottky Diode, 1200V / 5A, 2-Pin DPAK (TO-252-2), Gleichrichter-Typ: Schottky-Diode, MPN: IDM05G120C5XTMA1.

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    Infineon SMD SiC-Schottky Diode, 1200V / 5A, 2-Pin DPAK (TO-252-2), Gleichrichter-Typ: Schottky-Diode, MPN: IDM05G120C5XTMA1.

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