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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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Infineon HEXFET IRLR7843TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 161 A 140 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

About The : +175 °C.73mm, Betriebstemperatur max

Infineon HEXFET IRLR7843TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 161 A 140 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.3V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.73mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C

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Infineon HEXFET IRLR7843TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 161 A 140 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Specifications of Infineon HEXFET IRLR7843TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 161 A 140 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Infineon HEXFET IRLR7843TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 161 A 140 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
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Texas Instruments DC/DC-Wandler Step Down 1-Kanal, 500mA WSON 8 Pin-Pin Einstellbar, Fest
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    • Georg Fischer Buchse ABS Gerade für 4Zoll

    Georg Fischer Buchse ABS Gerade für 4Zoll

    Georg Fischer Buchse ABS Gerade für 4Zoll, Länge: 135mm, MPN: 729911115.

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    • Panasonic, SMD Elektrolyt Alu Kondensator, Elko 1500μF / 6.3V dc

    Panasonic, SMD Elektrolyt Alu Kondensator, Elko 1500μF / 6.3V dc

    3V dc, Montageart: Oberflächenmontage, Abmessungen: 10 x 10.2mm, MPN: EEEFK0J152GP.3V dc, Kapazität: 1500µF, Spannung: 6.

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    Panasonic, SMD Elektrolyt Alu Kondensator, Elko 1000μF / 6.3V dc

    2mm, MPN: EEEFK0J102GL.Panasonic, SMD Elektrolyt Alu Kondensator, Elko 1000μF / 6.

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    • onsemi PowerTrench FDT86102LZ N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 6,6 A 2,2 W, 3-Pin SOT-223

    onsemi PowerTrench FDT86102LZ N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 6,6 A 2,2 W, 3-Pin SOT-223

    : 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: +150 °C.onsemi PowerTrench FDT86102LZ N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 6,6 A 2,2 W, 3-Pin SOT-223, Drain-Source-Widerstand max.

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    • onsemi UniFET FDP12N60NZ N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 12 A 240 W, 3-Pin TO-220

    onsemi UniFET FDP12N60NZ N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 12 A 240 W, 3-Pin TO-220

    : +150 °C.: 650 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.

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    Infineon HEXFET IRLR7843TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 161 A 140 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

    73mm, Betriebstemperatur max.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

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    • Vishay Dünnschicht SMD-Widerstand ± 0.1% / 0.4W, 1206 (3216M) Gehäuse

    Vishay Dünnschicht SMD-Widerstand ± 0.1% / 0.4W, 1206 (3216M) Gehäuse

    4W, 1206 (3216M) Gehäuse, MPN: TNPW12064K99BEEA.1% / 0.

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    Infineon HEXFET IRLR7843TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 161 A 140 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

    3V, Gate-Schwellenspannung min.: -20 V, +20 V, Länge: 6.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: +175 °C.

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    • Vishay Dünnschicht SMD-Widerstand ± 0.1% / 0.4W, 1206 (3216M) Gehäuse

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    Vishay Dünnschicht SMD-Widerstand ± 0.4W, 1206 (3216M) Gehäuse, MPN: TNPW12064K99BEEA.1% / 0.

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