onsemi UniFET FDP12N60NZ N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 12 A 240 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 650 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 10.67mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Onsemi UniFET FDP12N60NZ N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 12 A 240 W, 3-Pin TO-220
Specifications of Onsemi UniFET FDP12N60NZ N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 12 A 240 W, 3-Pin TO-220 | |
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