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Vishay SI2365EDS-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 4,7 A 1,7 W, 3-Pin SOT-23

About The 04mm, Betriebstemperatur max.: 67,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min

Vishay SI2365EDS-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 4,7 A 1,7 W, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 67,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 0.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Länge: 3.04mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

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Vishay SI2365EDS-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 4,7 A 1,7 W, 3-Pin SOT-23

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Specifications of Vishay SI2365EDS-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 4,7 A 1,7 W, 3-Pin SOT-23

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