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Taiwan Semiconductor

Taiwan Semiconductor TVS-Diode Uni-Directional 38.9V 26.7V Min., 2-Pin, SMD DO-218AB

About The 9V 26.Taiwan Semiconductor TVS-Diode Uni-Directional 38

Taiwan Semiconductor TVS-Diode Uni-Directional 38.9V 26.7V min., 2-Pin, SMD DO-218AB, Höchstzulässige Pulsverlustleistung: 3600W, MPN: TLD5S24AH

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Specifications of Taiwan Semiconductor TVS-Diode Uni-Directional 38.9V 26.7V Min., 2-Pin, SMD DO-218AB

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Taiwan Semiconductor TVS-Diode Uni-Directional 42.1V 28.9V min., 2-Pin, SMD DO-218AB

Taiwan Semiconductor TVS-Diode Uni-Directional 42.1V 28.9V min., 2-Pin, SMD DO-218AB

, 2-Pin, SMD DO-218AB, Höchstzulässige Pulsverlustleistung: 4600W, Anzahl der Elemente pro Chip: 3, MPN: TLD6S26AH.

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    , 2-Pin, SMD DO-218AB, Höchstzulässige Pulsverlustleistung: 4600W, MPN: TLD6S24AH.

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    • Infineon HEXFET IRFML8244TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 5,8 A 1,25 W, 3-Pin SOT-23

    Infineon HEXFET IRFML8244TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 5,8 A 1,25 W, 3-Pin SOT-23

    35V, Gate-Schwellenspannung min.35V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.02mm.: -20 V, +20 V, Höhe: 1.

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  • MOSFET
  • Infineon
    • TE Connectivity CPF Dünnschicht SMD-Widerstand 2.8kΩ ±0.1% / 0.1W ±25ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse

    TE Connectivity CPF Dünnschicht SMD-Widerstand 2.8kΩ ±0.1% / 0.1W ±25ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse

    : +155°C, MPN: CPF0805B2K8E1.1% / 0.1W ±25ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.8kΩ ±0.

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    • IXYS IGBT-Modul / 650 A ±30V max., 1200 V 2,1 kW, 11-Pin SimBus F N-Kanal

    IXYS IGBT-Modul / 650 A ±30V max., 1200 V 2,1 kW, 11-Pin SimBus F N-Kanal

    : –40 °C, MPN: MIXA450PF1200TSF.IXYS IGBT-Modul / 650 A ±30V max.: +150 °C, Betriebstemperatur min., 1200 V 2,1 kW, 11-Pin SimBus F N-Kanal, Konfiguration: Dual, Montage-Typ: PCB-Montage, Transistor-Konfiguration: Serie, Abmessungen: 152 x 62 x 17mm, Betriebstemperatur max.

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  • IGBT
  • IXYS
    • Vishay PTFE Trimm-Kondensator, 2pF bis 18pF 300V dc

    Vishay PTFE Trimm-Kondensator, 2pF bis 18pF 300V dc

    4mm, Kapazitäts-Bereich: 2 → 18pF, Betriebstemperatur max.7mm, Länge: 7.

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    Taiwan Semiconductor TVS-Diode Uni-Directional 38.7V min., 2-Pin, SMD DO-218AB, Höchstzulässige Pulsverlustleistung: 3600W, MPN: TLD5S24AH.

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    Taiwan Semiconductor TVS-Diode Uni-Directional 27.6V 18.9V min., 2-Pin, SMD DO-218AB

    9V min., 2-Pin, SMD DO-218AB, Höchstzulässige Pulsverlustleistung: 3600W, MPN: TLD5S17AH.

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