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Vishay Siliconix TrenchFET SiR188DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 60 A 65,7 W, 8-Pin PowerPAK SO-8

About The Vishay Siliconix TrenchFET SiR188DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 60 A 65,7 W, 8-Pin PowerPAK SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 3

Vishay Siliconix TrenchFET SiR188DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 60 A 65,7 W, 8-Pin PowerPAK SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 3.6V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.1V

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Specifications of Vishay Siliconix TrenchFET SiR188DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 60 A 65,7 W, 8-Pin PowerPAK SO-8

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