Infineon HEXFET IRFTS9342TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5,8 A 2 W, 6-Pin TSOP-6, Drain-Source-Widerstand max.: 66 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V, Höhe: 1.3mm
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Infineon HEXFET IRFTS9342TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5,8 A 2 W, 6-Pin TSOP-6
Specifications of Infineon HEXFET IRFTS9342TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5,8 A 2 W, 6-Pin TSOP-6 | |
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