Vishay Siliconix MOSFET SiZ348DT-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 30 A, PowerPAIR de 3 x 3 de 8 pines, 2elementos, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 10 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.4V, Disipación de Potencia Máxima: 16,7 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -16 V, +20 V, Longitud: 3mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C
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Vishay Siliconix MOSFET SiZ348DT-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 30 A, PowerPAIR De 3 X 3 De 8 Pines, 2elementos
Specifications of Vishay Siliconix MOSFET SiZ348DT-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 30 A, PowerPAIR De 3 X 3 De 8 Pines, 2elementos | |
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