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ROHM AEC-Q100 Memoria EEPROM Serie, 256kbit, 32k X, 8bit, I2C, 50ns, 8 Pines TSSOP-B

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ROHM AEC-Q100 Memoria EEPROM serie, 256kbit, 32k x, 8bit, I2C, 50ns, 8 pines TSSOP-B, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Organización: 32K x 8 bits, Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima: 1,7 V, Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento: 5,5 V, Tensión de Programación: 1.7 to 5.5V, Dimensiones: 3 x 4.4 x 1mm, Data Retention: 100año, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +125 °C, MPN: BR24H256FVT-5ACE2

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Specifications of ROHM AEC-Q100 Memoria EEPROM Serie, 256kbit, 32k X, 8bit, I2C, 50ns, 8 Pines TSSOP-B

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Texas Instruments Referencia de tensión REF5025AIDGKT, Fijo ±10mA VSSOP 8 pines ±0.1 %
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    • Amphenol ICC Conector USB 10118192-0002LF, Hembra, 5 puertos, Montaje Superficial, Versión 2.0, 10118192

    Amphenol ICC Conector USB 10118192-0002LF, Hembra, 5 puertos, Montaje Superficial, Versión 2.0, 10118192

    Amphenol ICC Conector USB 10118192-0002LF, Hembra, 5 puertos, Montaje Superficial, Versión 2.0, 10118192.

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    • Fibox Carril DIN Sin perforar de Acero, dim.

    Fibox Carril DIN Sin perforar de Acero, dim.

    110mm x 35mm x 8mm, rail simétrico.110mm x 35mm x 8mm, rail simétrico, Compatibilidad: En U, MPN: CHM-3 DIN-35 RAIL Fibox Carril DIN Sin perforar de Acero, dim.

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    • TE Connectivity Resistencia SMD, 3.9Ω, ±5%, 5W, Película Gruesa, 4320 300V, Serie 3550

    TE Connectivity Resistencia SMD, 3.9Ω, ±5%, 5W, Película Gruesa, 4320 300V, Serie 3550

    9Ω, ±5%, 5W, Película Gruesa, 4320 300V, Serie 3550, Coeficiente de Temperatura: ±200ppm/°C, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -55°C, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +155°C, MPN: 7-2176404-8.TE Connectivity Resistencia SMD, 3.

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    • Panasonic AEC-Q200 Resistencia SMD, 121kΩ, ±0.1%, 0.1W, Película de Metal, 0603 (1608M), Serie ERA

    Panasonic AEC-Q200 Resistencia SMD, 121kΩ, ±0.1%, 0.1W, Película de Metal, 0603 (1608M), Serie ERA

    Panasonic AEC-Q200 Resistencia SMD, 121kΩ, ±0.1%, 0.1W, Película de Metal, 0603 (1608M), Serie ERA, Coeficiente de Temperatura: ±25ppm/°C, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -55°C, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +155°C, MPN: ERA3AEB1213V.

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    • ROHM AEC-Q100 Memoria EEPROM serie, 128kbit, 16k x, 8bit, I2C, 50ns, 8 pines VSON008X2030

    ROHM AEC-Q100 Memoria EEPROM serie, 128kbit, 16k x, 8bit, I2C, 50ns, 8 pines VSON008X2030

    ROHM AEC-Q100 Memoria EEPROM serie, 128kbit, 16k x, 8bit, I2C, 50ns, 8 pines VSON008X2030, MPN: BR24H128NUX-5ACTR.

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    ROHM MOSFET, VDSS 60 V, ID 2,5 A, DFN2020 de 8 pines, 2elementos

    5V, MPN: UT6JC5TCR.ROHM MOSFET, VDSS 60 V, ID 2,5 A, DFN2020 de 8 pines, 2elementos, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 2,8 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.

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    ROHM AEC-Q100 Memoria EEPROM serie, 256kbit, 32k x, 8bit, I2C, 50ns, 8 pines TSSOP-B, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Organización: 32K x 8 bits, Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima: 1,7 V, Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento: 5,5 V, Tensión de Programación: 1.

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    • ROHM MOSFET, VDSS 60 V, ID 2,5 A, DFN2020 de 8 pines, 2elementos

    ROHM MOSFET, VDSS 60 V, ID 2,5 A, DFN2020 de 8 pines, 2elementos

    5V, MPN: UT6JC5TCR.ROHM MOSFET, VDSS 60 V, ID 2,5 A, DFN2020 de 8 pines, 2elementos, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 2,8 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.

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