Toshiba MOSFET canal N, TSON 65 A 60 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 41 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 30 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Tension directe de la diode: 1.2V, MPN: TPN14006NH,L1Q(M
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Toshiba MOSFET Canal N, TSON 65 A 60 V, 8 Broches
Specifications of Toshiba MOSFET Canal N, TSON 65 A 60 V, 8 Broches | |
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