onsemi MOSFET canal N, SOT-363 115 mA 60 V, 6 broches, Type de boîtier: SOT-363 (SC-70), Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 13,5 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 200 mW, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 1mm, Longueur: 2mm, MPN: 2N7002DW
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Onsemi MOSFET Canal N, SOT-363 115 MA 60 V, 6 Broches
Specifications of Onsemi MOSFET Canal N, SOT-363 115 MA 60 V, 6 Broches | |
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