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Composants Electroniques & Energie et Connecteurs
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Toshiba

Toshiba 74HC244D, 74HC, 20 Broches SOIC

About The Toshiba 74HC244D, 74HC, 20 broches SOIC, Nombre d'entrées d'élément: 1, Nombre d'éléments par circuit: 10, Délai de propagation maximum @ capacité de charge maximum: 165 ns @ 150 pF, Courant de sortie niveau haut maximum: -7.1mm, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 6 V, Température d'utilisation maximum: +85 °C, Tension d'alimentation de fonctionnement minimum: 2 V

Toshiba 74HC244D, 74HC, 20 broches SOIC, Nombre d'entrées d'élément: 1, Nombre d'éléments par circuit: 10, Délai de propagation maximum @ capacité de charge maximum: 165 ns @ 150 pF, Courant de sortie niveau haut maximum: -7.8mA, Type de montage: CMS, Dimensions: 13.1 x 7.5 x 2.25mm, Longueur: 13.1mm, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 6 V, Température d'utilisation maximum: +85 °C, Tension d'alimentation de fonctionnement minimum: 2 V

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Toshiba 74HC244D, 74HC, 20 Broches SOIC

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Specifications of Toshiba 74HC244D, 74HC, 20 Broches SOIC

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Semi-conducteurs
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Vishay Résistance Film couche mince 15.8kΩ ±1%, 0.6W

Vishay Résistance Film couche mince 15.8kΩ ±1%, 0.6W

Vishay Résistance Film couche mince 15.

  • Composants Electroniques & Energie et Connecteurs
  • Passifs
  • Résistances
  • Résistances traversantes
  • Vishay
    • TE Connectivity Circuit Breaker; Toggle; 3; 30 A; Black (Toggle); 277 VAC (Max.); 10-32 Stud

    TE Connectivity Circuit Breaker; Toggle; 3; 30 A; Black (Toggle); 277 VAC (Max.); 10-32 Stud

    ); 10-32 Stud, MPN: W93-X112-30.TE Connectivity Circuit Breaker; Toggle; 3; 30 A; Black (Toggle); 277 VAC (Max.

  • Automatisme Industriel & Contrôle de process & Electrique et Câbles
  • Fusibles et disjoncteurs
  • Disjoncteurs électriques
  • Disjoncteurs thermiques
  • TE Connectivity
    • Infineon Transistor bipolaire RF, NPN Simple, 80 mA, 12 V, SOT-323 (SC-70), 3 broches

    Infineon Transistor bipolaire RF, NPN Simple, 80 mA, 12 V, SOT-323 (SC-70), 3 broches

    25 x 0.Infineon Transistor bipolaire RF, NPN Simple, 80 mA, 12 V, SOT-323 (SC-70), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 580 mW, Tension Collecteur Base maximum: 20 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 8 GHz, Dimensions: 2 x 1.8mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BFR193WH6327XTSA1.

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  • Infineon
    • Vishay Siliconix MOSFET canal P, PowerPAK SO-8L 16 A 80 V, 4 broches

    Vishay Siliconix MOSFET canal P, PowerPAK SO-8L 16 A 80 V, 4 broches

    99mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: SQJ481EP-T1_GE3.Vishay Siliconix MOSFET canal P, PowerPAK SO-8L 16 A 80 V, 4 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 90 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 45 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 5.

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    • Vishay Siliconix MOSFET canal P, PowerPAK SO-8L 16 A 80 V, 4 broches

    Vishay Siliconix MOSFET canal P, PowerPAK SO-8L 16 A 80 V, 4 broches

    Vishay Siliconix MOSFET canal P, PowerPAK SO-8L 16 A 80 V, 4 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 90 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.99mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: SQJ481EP-T1_GE3.5V, Dissipation de puissance maximum: 45 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 5.

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