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Vishay Siliconix MOSFET Canal P, PowerPAK SO-8L 9,4 A 200 V, 4 Broches

About The 99mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: SQJ431AEP-T1_GE3.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2

Vishay Siliconix MOSFET canal P, PowerPAK SO-8L 9,4 A 200 V, 4 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 760 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 68 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 5.99mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: SQJ431AEP-T1_GE3

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Vishay Siliconix MOSFET Canal P, PowerPAK SO-8L 9,4 A 200 V, 4 Broches

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Specifications of Vishay Siliconix MOSFET Canal P, PowerPAK SO-8L 9,4 A 200 V, 4 Broches

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Vishay Siliconix MOSFET Canal P, PowerPAK SO-8L 9,4 A 200 V, 4 Broches
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Amphenol Socapex Connecteur cylindrique Mâle, 13 Contacts,

Amphenol Socapex Connecteur cylindrique Mâle, 13 Contacts,

Amphenol Socapex Connecteur cylindrique Mâle, 13 Contacts,, Courant: 5A, Tension: 500 V, Taille du capot: 8, Type de montage: Montage sur câble, Type d'accouplement: Fileté, Orientation du corps: Droit, Série: 2M801, MPN: 2M80100726NF813BA.

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    • Vishay Résistance Film couche mince 15.8kΩ ±1%, 0.6W

    Vishay Résistance Film couche mince 15.8kΩ ±1%, 0.6W

    8kΩ ±1%, 0.6W, Série: MRS25, Coefficient de température: ±50ppm/°C, MPN: MRS25000C1582FCT00.Vishay Résistance Film couche mince 15.

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    • TE Connectivity Circuit Breaker; Toggle; 3; 30 A; Black (Toggle); 277 VAC (Max.); 10-32 Stud

    TE Connectivity Circuit Breaker; Toggle; 3; 30 A; Black (Toggle); 277 VAC (Max.); 10-32 Stud

    TE Connectivity Circuit Breaker; Toggle; 3; 30 A; Black (Toggle); 277 VAC (Max.); 10-32 Stud, MPN: W93-X112-30.

  • Automatisme Industriel & Contrôle de process & Electrique et Câbles
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  • TE Connectivity
    • Infineon Transistor bipolaire RF, NPN Simple, 80 mA, 12 V, SOT-323 (SC-70), 3 broches

    Infineon Transistor bipolaire RF, NPN Simple, 80 mA, 12 V, SOT-323 (SC-70), 3 broches

    25 x 0.8mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BFR193WH6327XTSA1.Infineon Transistor bipolaire RF, NPN Simple, 80 mA, 12 V, SOT-323 (SC-70), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 580 mW, Tension Collecteur Base maximum: 20 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 8 GHz, Dimensions: 2 x 1.

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    • Infineon Transistor bipolaire RF, NPN Simple, 80 mA, 12 V, SOT-323 (SC-70), 3 broches

    Infineon Transistor bipolaire RF, NPN Simple, 80 mA, 12 V, SOT-323 (SC-70), 3 broches

    Infineon Transistor bipolaire RF, NPN Simple, 80 mA, 12 V, SOT-323 (SC-70), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 580 mW, Tension Collecteur Base maximum: 20 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 8 GHz, Dimensions: 2 x 1.

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