Onsemi Diode CMS, 8A, 200V, DFN

Infineon Module de commande de grille IRS44273LTRPBF, CMOS, LSTTL 1,5 A 20V, 5 broches, SOT23-5, Temps de descente: 25ns.

25 x 0.9mm, Longueur: 2mm, MPN: BFP720H6327XTSA1.Infineon Transistor bipolaire RF, NPN Simple, 25 mA, 13 V, SOT-343, 4 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 100 mW, Gain en courant DC minimum: 160, Tension Emetteur Base maximum: 1,2 V, Dimensions: 2 x 1.

Schneider Electric Cordon pour Modicon M340, MPN: BMXFTW301.

Aerotight Ecrou frein M12, Type d'écrou: Autobloquant, Largeur: 19mm, Impérial/Métrique: Métrique, Finition: Brut, MPN: A2AEROTIGHTM12RS.

c.6 digits, Type d'entrée: Tension, Type de connexion: Vis, Méthode de réinitialisation: Manuelle, Type de montage: Montage panneau, Sortie / Interface: Transistor, Hauteur de digit: 4 mm, Fréquence de comptage maximum: 25Hz, Plage d'affichage: 0 → 999999, Température d'utilisation maximum: +50°C, Température minimum de fonctionnement: -10°C, MPN: 0 864 161 Hengstler Compteur 864 Impulsions 12 V c.

2V, MPN: IPD78CN10N G.Infineon MOSFET canal N, DPAK (TO-252) 13 A 100 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 78 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 31 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Tension directe de la diode: 1.

onsemi Diode CMS, 8A, 200V, DFN, Temps de recouvrement inverse crête: 50ns, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 80A, MPN: NRVHP8H200MFDWFT1G.

13mm, Largeur: 5.1mm, Indice énergétique: 2.

onsemi Diode CMS, 8A, 200V, DFN, Temps de recouvrement inverse crête: 50ns, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 80A, MPN: NRVHP8H200MFDWFT1G.

13 x 5.Infineon IGBT,, 45 A, 600 V, A-247, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 187 W, Type de montage: Traversant, Longueur: 16.1mm, Dimensions: 16.