Infineon MOSFET canal N, DPAK (TO-252) 13 A 100 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 78 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 31 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Tension directe de la diode: 1.2V, MPN: IPD78CN10N G
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Infineon MOSFET Canal N, DPAK (TO-252) 13 A 100 V, 3 Broches
Specifications of Infineon MOSFET Canal N, DPAK (TO-252) 13 A 100 V, 3 Broches | |
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