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STMicroelectronics MOSFET Canal N, DPAK (TO-252) 12 A 650 V, 3 Broches

About The STMicroelectronics MOSFET canal N, DPAK (TO-252) 12 A 650 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 279 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 90 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 6.6mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STD16N65M5

STMicroelectronics MOSFET canal N, DPAK (TO-252) 12 A 650 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 279 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 90 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 6.6mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STD16N65M5

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Specifications of STMicroelectronics MOSFET Canal N, DPAK (TO-252) 12 A 650 V, 3 Broches

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