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Infineon MOSFET Canal N, TO-252 50 A 120 V, 3 Broches

About The Infineon MOSFET canal N, TO-252 50 A 120 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,015 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.4V, Série: OptiMOS-T, MPN: IPD50N12S3L15ATMA1

Infineon MOSFET canal N, TO-252 50 A 120 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,015 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.4V, Série: OptiMOS-T, MPN: IPD50N12S3L15ATMA1

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Infineon MOSFET Canal N, TO-252 50 A 120 V, 3 Broches

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Specifications of Infineon MOSFET Canal N, TO-252 50 A 120 V, 3 Broches

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RS PRO Coffret mural en Acier inoxydable 304 dim.

RS PRO Coffret mural en Acier inoxydable 304 dim.

400 x 300 x 150mm, IP66 400 x 300 x 150mm, IP66, Hauteur externe: 400 mm, Largeur externe: 300 mm, Porte transparente: Non, Plaque châssis: Oui, Type de verrouillage de porte: Déverrouillage rapide, Couleur: non peint, Application: Electrique, Type de montage externe: Support, Type de montage interne: Panneau, Fonctions spéciales: Ouverture de porte 120 °.

  • Automatisme Industriel & Contrôle de process & Electrique et Câbles
  • Boîtiers & coffrets et armoires
  • Boîtiers
  • Coffrets muraux
  • RS PRO
    • TE Connectivity Commutateur à glissière, 4 RT, Verrouillable, 0,3 A, montage Circuit imprimé
  • Automatisme Industriel & Contrôle de process & Electrique et Câbles
  • Interrupteurs
  • Interrupteurs à levier et interrupteurs à glissière
  • Interrupteurs à glissière
  • TE Connectivity
    • Ohmite RESISTOR; 5000 MEGOHMS; 2.00 W @ DEGC; 1; RADIAL LEADED; 10 KV; + 0.25

    Ohmite RESISTOR; 5000 MEGOHMS; 2.00 W @ DEGC; 1; RADIAL LEADED; 10 KV; + 0.25

    Ohmite RESISTOR; 5000 MEGOHMS; 2.25, MPN: SM204035007FE.00 W @ DEGC; 1; RADIAL LEADED; 10 KV; + 0.

  • Composants Electroniques & Energie et Connecteurs
  • Passifs
  • Résistances
  • Résistances traversantes
  • Ohmite
    • Ohmite RESISTOR; 10 MEGOHMS; 2.00 W @ DEGC; 1; RADIAL LEADED; 15 KV; + 0.25; -55 DEG

    Ohmite RESISTOR; 10 MEGOHMS; 2.00 W @ DEGC; 1; RADIAL LEADED; 15 KV; + 0.25; -55 DEG

    Ohmite RESISTOR; 10 MEGOHMS; 2.25; -55 DEG, MPN: SM106031005FE.

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  • Ohmite
    • RS PRO Coffret mural en Acier inoxydable 304 dim.

    RS PRO Coffret mural en Acier inoxydable 304 dim.

    500 x 500 x 200mm, IP66 500 x 500 x 200mm, IP66, Hauteur externe: 500 mm, Porte transparente: Non, Plaque châssis: Oui, Type de verrouillage de porte: Déverrouillage rapide, Couleur: non peint, Application: Electrique, Type de montage externe: Support, Type de montage interne: Panneau, Fonctions spéciales: Door & Chassis Plate, Double Lip Edges, Earth Studs Provided on Body. ext.

  • Automatisme Industriel & Contrôle de process & Electrique et Câbles
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  • Coffrets muraux
  • RS PRO
    • onsemi Diode TVS Unidirectionnel, claq.

    onsemi Diode TVS Unidirectionnel, claq.

    1V SOD-523, 2 broches, dissip.

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    • Taiwan Semiconductor Diode, DO-214AC (SMA), 2 broches

    Taiwan Semiconductor Diode, DO-214AC (SMA), 2 broches

    5mm, Dimensions: 4.Taiwan Semiconductor Diode, DO-214AC (SMA), 2 broches, Configuration de diode: Simple, Type de montage: CMS, Technologie de diode: Jonction au silicium, Chute minimale de tension directe: 1.83mm, Hauteur: 2.

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    Infineon MOSFET canal N, TO-252 50 A 120 V, 3 broches

    Infineon MOSFET canal N, TO-252 50 A 120 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,015 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.4V, Série: OptiMOS-T, MPN: IPD50N12S3L15ATMA1.

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    • Taiwan Semiconductor Diode, DO-214AC (SMA), 2 broches

    Taiwan Semiconductor Diode, DO-214AC (SMA), 2 broches

    Taiwan Semiconductor Diode, DO-214AC (SMA), 2 broches, Configuration de diode: Simple, Type de montage: CMS, Technologie de diode: Jonction au silicium, Chute minimale de tension directe: 1.83mm, Hauteur: 2.83 x 2.

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    • Infineon MOSFET canal N, TO-252 50 A 120 V, 3 broches

    Infineon MOSFET canal N, TO-252 50 A 120 V, 3 broches

    4V, Série: OptiMOS-T, MPN: IPD50N12S3L15ATMA1.Infineon MOSFET canal N, TO-252 50 A 120 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,015 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.

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