Toshiba MOSFET Canal N, TO-220SIS 25 A 600 V, 3 Broches
About The 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 45 W, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TK25A60X,S5X(M
Toshiba MOSFET canal N, TO-220SIS 25 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 125 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 45 W, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TK25A60X,S5X(M
Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET
Toshiba MOSFET Canal N, TO-220SIS 25 A 600 V, 3 Broches
Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET
Specifications of Toshiba MOSFET Canal N, TO-220SIS 25 A 600 V, 3 Broches | |
|---|---|
| Category | |
| Instock | instock |
