STMicroelectronics MOSFET canal N, HiP247 45 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 0,045 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Matériau du transistor: SiC, Série: SCTW35, MPN: SCTW35N65G2V
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STMicroelectronics MOSFET Canal N, HiP247 45 A 650 V, 3 Broches
Specifications of STMicroelectronics MOSFET Canal N, HiP247 45 A 650 V, 3 Broches | |
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