Infineon MOSFET Canal N, A-220 100 A 150 V, 3 Broches
About The Infineon MOSFET canal N, A-220 100 A 150 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 7,7 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 300 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: 20 V, Longueur: 10.36mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: IPP075N15N3GXKSA1
Infineon MOSFET canal N, A-220 100 A 150 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 7,7 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 300 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: 20 V, Longueur: 10.36mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: IPP075N15N3GXKSA1
Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET
Infineon MOSFET Canal N, A-220 100 A 150 V, 3 Broches
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Specifications of Infineon MOSFET Canal N, A-220 100 A 150 V, 3 Broches | |
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