Infineon Diode TVS Bidirectionnel, Claq. 6V, 13V WLL-2-1, 2 Broches, Dissip. 45W

08 R44, Type de montage: Montage en surface, Genre: Femelle, Type de raccordement: A souder, Type: Bloc de jonction PCB, Courant: 13.

Phoenix Contact Bornier pour CI 3 contacts 1 rangée(s) pas de 3.5 R24, Type de montage: Montage en surface, Genre: Femelle, Type de raccordement: A souder, Type: Bloc de jonction PCB, Courant: 13.

Idec Unité à LED Blanc de forme Rectangulaire, MPN: LB9Z-LED1PW.

Legrand DERIV.PLANE AILS 17->50X105 - Programme Mosaic, MPN: 0 756 75.

STMicroelectronics MOSFET canal N, TO-220 10 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 450 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 90 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 10.

Infineon MOSFET canal N, TDSON 11,3 A 200 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 125 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 50 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: 20 V, Longueur: 5.35mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BSC12DN20NS3GATMA1.

Infineon MOSFET canal N, A-220 100 A 150 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 7,7 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 300 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: 20 V, Longueur: 10.36mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: IPP075N15N3GXKSA1.

6V, 13V WLL-2-1, 2 broches, dissip. 45W 45W, Configuration de diode: Simple, Type de montage: CMS, Courant d'impulsion crête maximum: ±3A, Protection ESD: Oui, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Dimensions: 0.28 x 0.

Infineon MOSFET canal N, A-220 100 A 150 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 7,7 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 300 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: 20 V, Longueur: 10.36mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: IPP075N15N3GXKSA1.

6V, 13V WLL-2-1, 2 broches, dissip. 45W 45W, Configuration de diode: Simple, Type de montage: CMS, Courant d'impulsion crête maximum: ±3A, Protection ESD: Oui, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Dimensions: 0.