Phoenix Contact SACC-E-MU-M16 Connettore

6 → 32V cc, Tipo gestito/non gestito: Tipo non gestito, Serie: SPIDER, Profondità: 79mm, Altezza: 102mm, Massima temperatura operativa: +60°C, Massima tensione di alimentazione: 24V cc, Minima tensione di alimentazione: 12V cc, Larghezza: 38mm, Dimensioni: 38 x 102 x 79mm, MPN: SPIDER-SL-40-08T1999999SY9HHHH.

Teng Tools Kit di utensili per Set di utensili generici, 15 pezzi, Contenuti set: Utensili generici, pinze con impugnatura in TPR, Tipo stoccaggio: Inserto in schiuma, MPN: TTEPS15.

: c., Serie: CP-D, MPN: 1SVR427043R0100 CP-D 24VDC/1.

onsemi Modulo IGBT, Pin a pressione F1-4PACK con materiale di interfaccia termica pre-applicato (TIM) (senza piombo e, Dissipazione di potenza massima: 119 W, Tipo di package: Pin a pressione F1-4PACK con materiale di interfaccia termica pre-applicato (TIM) (senza piombo e alogenuro), MPN: NXH020F120MNF1PTG.

Allen Bradley Contattore, serie 100S-E, 3 poli, 1 NO + 1 NC, 116 A, bobina 100 → 250 V c., Funzione: Sicurezza, Configurazione contatti ausiliari: 1NC, Tipo terminale: Vite, Lunghezza: 105mm, Larghezza: 152mm, Profondità: 196mm, Massima temperatura operativa: +70°C, Minima temperatura operativa: -40°C, MPN: 100S-E205KD12C.

Infineon MOSFET, canale P, 11,2 mΩ, 15 A, SOIC, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.

Phoenix Contact SACC-E-MU-M16 Connettore, MPN: 1504097.

Infineon MOSFET, canale N, 15 mΩ, 9,3 A, SOIC, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 80 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 2,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 5mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IRF7493TRPBF.

Phoenix Contact SACC-E-MU-M16 Connettore, MPN: 1504097.

Infineon MOSFET, canale N, 15 mΩ, 9,3 A, SOIC, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 80 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 2,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 5mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IRF7493TRPBF.