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Infineon MOSFET, Canale N, 380 MΩ, 10,6 A, TO-220, Su Foro

About The 5V, Dissipazione di potenza massima: 73 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.Infineon MOSFET, canale N, 380 mΩ, 10,6 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 550 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3

Infineon MOSFET, canale N, 380 mΩ, 10,6 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 550 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.5V, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 73 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.36mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IPP50R380CE

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Specifications of Infineon MOSFET, Canale N, 380 MΩ, 10,6 A, TO-220, Su Foro

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