onsemi MOSFET, canale P, 70 mΩ, 27 A, TO-220AB, Su foro
onsemi MOSFET, canale P, 70 mΩ, 27 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 120 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 10.1mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: FQP27P06.