Vishay MOSFET, canale N, 47 mΩ, 8,5 A, SOIC, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 3,3 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 5mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: SI4850EY-T1-GE3
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
Vishay MOSFET, Canale N, 47 MΩ, 8,5 A, SOIC, Montaggio Superficiale
Specifications of Vishay MOSFET, Canale N, 47 MΩ, 8,5 A, SOIC, Montaggio Superficiale | |
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