STMicroelectronics IGBT, VCE 600 V, IC 80 A, canale N, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 283 W, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Singolo, Lunghezza: 15.75mm, Larghezza: 5.15mm, Altezza: 20.15mm, Dimensioni: 15.75 x 5.15 x 20.15mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: STGW40H60DLFB
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STMicroelectronics IGBT, VCE 600 V, IC 80 A, Canale N, TO-247
Specifications of STMicroelectronics IGBT, VCE 600 V, IC 80 A, Canale N, TO-247 | |
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