Onsemi MOSFET, Canale N, 115 MΩ, 2,8 A, SOT-23, Montaggio Superficiale

7MΩ, 1W, 1%, Assiale, MPN: HHV1WSFT-73-4M7.

BETA Punta A taglio, 4 mm, MPN: 862PE 4.

onsemi Diodo, Montaggio superficiale, 4A, 10V, DO-214AB (SMC), Raddrizzatore Schottky, Configurazione diodi: Singolo, Caduta di tensione diretta massima: 250mV, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 150A, MPN: MBRS410LT3G.

0mm, Serie: A3A, Orientamento: Ad angolo retto, Protetto/Non protetto: Non protetto, Tipo di connettore: Filo-Scheda, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Terminazione: Saldare, Materiale contatto: Ottone, Placcatura contatto: Oro, Corrente nominale: 2.5mm, Tensione nominale: 200,0 V., MPN: A3A-14PA-2SV(71).0A, Lunghezza di accoppiamento dei pin: 3.

Yageo Resistenza Film spesso, 976Ω, 1206 (3216M), ±1%, 0.

Phoenix Contact MSTBT 2,5/ 8-ST-5,08 Spina estraibile, MPN: 1781043.

M8 Femmina / Senza terminazione, L.

onsemi MOSFET, canale N, 115 mΩ, 2,8 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 1,25 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -8 V, +8 V, Altezza: 1.04mm, MPN: MGSF2N02ELT1G.

2m 2m, Sezione Conduttore: 0,34 mm², Materiale guaina: PP, Orientamento connettore 1: Ad angolo retto, Schermato/Non schermato: Non schermata, Corrente nominale: 4 A, Tensione nominale: 60 V, Protezione IP: IP67, IP69K, MPN: DOL-0803-G02MRN. M8 Femmina / Senza terminazione, L.

onsemi MOSFET, canale N, 115 mΩ, 2,8 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 1,25 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -8 V, +8 V, Altezza: 1.01mm, Lunghezza: 3.04mm, MPN: MGSF2N02ELT1G.