onsemi MOSFET, canale N, 115 mΩ, 2,8 A, SOT-23, Montaggio superficiale
01mm, Lunghezza: 3.onsemi MOSFET, canale N, 115 mΩ, 2,8 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 1,25 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -8 V, +8 V, Altezza: 1.04mm, MPN: MGSF2N02ELT1G.