Vishay MOSFET, canale P, 58 mΩ, 4 A, SOIC, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 0.6V, Dissipazione di potenza massima: 2000 mW, Configurazione transistor: Isolato, Tensione massima gate source: -12 V, +12 V, Altezza: 1.55mm, MPN: SI9933CDY-T1-GE3
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
Vishay MOSFET, Canale P, 58 MΩ, 4 A, SOIC, Montaggio Superficiale
Specifications of Vishay MOSFET, Canale P, 58 MΩ, 4 A, SOIC, Montaggio Superficiale | |
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