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Onsemi MOSFET, Canale N, 8,5 MΩ, 76 A, TO-220, Su Foro

About The 36mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: FDP8D5N10C.onsemi MOSFET, canale N, 8,5 mΩ, 76 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 107 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, Lunghezza: 10

onsemi MOSFET, canale N, 8,5 mΩ, 76 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 107 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, Lunghezza: 10.36mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: FDP8D5N10C

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Onsemi MOSFET, Canale N, 8,5 MΩ, 76 A, TO-220, Su Foro

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