STMicroelectronics IGBT, VCE 600 V, IC 40 A, canale N, TO-220FP, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 167 W, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Velocità di switching: 1MHz, Configurazione transistor: Singolo, Lunghezza: 10.4mm, Larghezza: 4.6mm, Altezza: 15.75mm, Dimensioni: 10.4 x 4.6 x 15.75mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STGF20H60DF
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STMicroelectronics IGBT, VCE 600 V, IC 40 A, Canale N, TO-220FP
Specifications of STMicroelectronics IGBT, VCE 600 V, IC 40 A, Canale N, TO-220FP | |
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