STMicroelectronics MOSFET, canale P, 19 mΩ, 60 A, PowerFLAT 5 x 6, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 100 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 6.35mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STL60P4LLF6
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STMicroelectronics MOSFET, Canale P, 19 MΩ, 60 A, PowerFLAT 5 X 6, Montaggio Superficiale
Specifications of STMicroelectronics MOSFET, Canale P, 19 MΩ, 60 A, PowerFLAT 5 X 6, Montaggio Superficiale | |
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