Vishay Diodo Zener, 10V, Montaggio Superficiale, 500 MW, SOD-123

6mm, Dimensioni: 3.

Vishay Diodo Zener, 11V, Montaggio superficiale, 500 mW, MiniMELF, Configurazione diodi: Singolo, Tipo di zener: Regolatore di tensione, Tolleranza in tensione zener: 2%, Corrente di test: 5mA, Impedenza massima zener: 20Ω, Massima corrente di perdita inversa: 100nA, Dimensioni: 3.

Renesas Electronics Microcontrollore, ARM Cortex M4, LQFP, S3A1, 64 Pin, Montaggio superficiale, 32bit, 48MHz, Dimensione memoria programmi: 1 MB, Dimensioni RAM: 192 kB, Number of USART Channels: 0, MPN: R7FS3A17C3A01CFM#AA0.

TE Connectivity Resistenza SMD Film spesso, 430Ω, 2512 (6432M), ±1%, 3W, Serie: 3522, Temperatura operativa minima: -55°C, Temperatura operativa massima: +155°C, MPN: 3522430RFT.

4W, ±5%, Tecnologia: Film metallico, Package/Contenitore: 0207, Temperatura operativa massima: +155°C, Coefficiente di temperatura: ±100ppm/°C, Temperatura operativa minima: -55°C, MPN: SFR2500006809JA500.Vishay Resistenza serie SFR25, 68Ω, 0.

85 x 1.03%/°C, MPN: MMSZ5230B-E3-08.

35mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: MMSZ4697-E3-08.Vishay Diodo Zener, 10V, Montaggio superficiale, 500 mW, SOD-123, Configurazione diodi: Singolo, Tolleranza in tensione zener: 5%, Corrente di test: 0.

STMicroelectronics MOSFET, canale P, 19 mΩ, 60 A, PowerFLAT 5 x 6, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 100 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 6.35mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STL60P4LLF6.

Vishay Diodo Zener, 10V, Montaggio superficiale, 500 mW, SOD-123, Configurazione diodi: Singolo, Tolleranza in tensione zener: 5%, Corrente di test: 0.05mA, Massima corrente di perdita inversa: 1µA, Dimensioni: 2.85 x 1.7 x 1.

STMicroelectronics MOSFET, canale P, 19 mΩ, 60 A, PowerFLAT 5 x 6, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 100 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 6.35mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STL60P4LLF6.