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Onsemi MOSFET, Canale N, 73 MΩ, 47 A, TO-3PN, Su Foro

About The onsemi MOSFET, canale N, 73 mΩ, 47 A, TO-3PN, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 417 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 20.1mm, Lunghezza: 16

onsemi MOSFET, canale N, 73 mΩ, 47 A, TO-3PN, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 417 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 20.1mm, Lunghezza: 16.2mm, MPN: FCA47N60F

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Onsemi MOSFET, Canale N, 73 MΩ, 47 A, TO-3PN, Su Foro

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